Maroc - ELECTRONIQUE-NEWS.COM - A La Une - 08/Oct 00:00

Toshiba dévoile un MOSFET 100 V haute performance

Le MOSFET TPH2R70AR5 offre une résistance à l’état passant de 2,7 mΩ, un FoM RDS(ON)×Qg amélioré de 42 %, une commutation plus rapide, moins de pertes et un boîtier compact 5,15×6,1 mm pour les applications industrielles efficaces.  www.global.toshiba Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») annonce le TPH2R70AR5, un nouveau MOSFET de puissance à canal N de 100 V, fabriqué selon son procédé de dernière génération, appelé U-MOS11-H. Ce MOSFET sera principalement utilisé dans les alimentations à découpage (switched-mode power supply, SMPS), notamment les convertisseurs DC-DC à haut rendement. Les principaux secteurs d'application seront les centres de données, les stations de base de communication et d'autres équipements industriels haut de gamme. Grâce au procédé avancé U-MOS11-H 100 V, le TPH2R70AR5 offre des performances nettement supérieures à celles des composants fabriqués avec le procédé U-MOSX-H existant. Par exemple, par rapport au précédent TPH3R10AQM, la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) a été réduite d'environ 8 % pour atteindre seulement 2,7 mΩ (max.) tandis que la charge grille-drain (Qg) est désormais inférieure de 37 % à 52 nC (typ.). Le facteur de mérite (figure-of-merit, FoM) RDS(ON) x Qg est ainsi amélioré de 42 %. De plus, le TPH2R70AR5 offre des performances de diode à haute vitesse grâce à une technologie de contrôle de durée de vie. En conséquence, par rapport au TPH3R10AQM, la vitesse de commutation est améliorée. De plus, le temps de récupération et le bruit de la diode sont réduits. La technologie de contrôle de durée de vie diminue également la charge de récupération inverse (Qrr) à 55 nC (typ.) et supprime les pics de tension. Le FoM RDS(ON) x Qrr est amélioré d'environ 43 %. Les caractéristiques remarquables des RDS(ON), Qg et Qrr réduisent à la fois les pertes par conduction et de commutation, contribuant ainsi à un meilleur rendement dans les applications de puissance. Cela diminue les coûts d'exploitation et permet une densité de puissance supérieure. Logé dans un boîtier SOP Advance (N) de seulement 5,15 mm x 6,1 mm, ce composant offre une excellente compatibilité de montage avec les normes industrielles. Le nouveau TPH2R70AR5 est conçu pour un courant de drain maximal (ID) de 190 A à une température ambiante de 25 °C. Il peut fonctionner avec une température de canal (Tch) allant jusqu'à 175 °C, réduisant ainsi les besoins en matière de refroidissement. Toshiba propose également des outils d'aide à la conception de circuits : le modèle G0 SPICE, qui vérifie rapidement le fonctionnement des circuits, et les modèles G2 SPICE de haute précision qui reproduisent fidèlement les caractéristiques transitoires. www.toshiba.com Powered by Induportals Media Publishing